Categoria: dram+

Uma nova parceria entre a startup alemã Ferroelectric Memory Company (FMC) e a empresa de testes Neumonda marca o renascimento da fabricação de memória na Europa. As duas companhias anunciaram o desenvolvimento da DRAM+, uma memória baseada em tecnologia FeRAM que pretende unir velocidade comparável à DRAM tradicional com a vantagem de manter os dados mesmo sem energia, como um SSD.

FeRAM baseada em óxido de háfnio: o pulo do gato

Diferente das antigas versões da FeRAM que utilizavam materiais como PZT (zirconato-titanato de chumbo), a inovação da FMC está no uso de óxido de háfnio (HfO₂) como material ferroelétrico.

Tal tecnologia traz duas grandes vantagens: o material é compatível com processos CMOS (os mesmos usados em semicondutores modernos) e escala bem abaixo dos 10 nanômetros, permitindo produção em larga escala com alta densidade.

Ao aplicar o efeito ferroelétrico do HfO₂ a uma DRAM, transformamos o capacitor tradicional em um dispositivo de armazenamento de baixa potência e não volátil, mantendo o desempenho elevado da DRAM

Thomas Rueckes, CEO da FMC

Comparativo entre tipos de memória

Memória	Volátil?	Velocidade	Consumo de Energia	Retém Dados sem Energia?	Densidade	Custo	Aplicações Comuns
DRAM	Sim	🟢 Muito alta	🔴 Alto	❌ Não	🟢 Alta	🟡 Médio	Memória RAM de PCs, servidores e dispositivos móveis
NAND Flash	Não	🟡 Média	🟢 Baixo	✅ Sim	🟢 Muito alta	🟢 Baixo	SSDs, pen drives, cartões de memória
FeRAM (PZT)	Não	🟡 Média	🟢 Muito baixo	✅ Sim	🔴 Muito baixa	🔴 Alto	Smartcards, sensores, dispositivos industriais
DRAM+ (HfO₂)	Não	🟢 Muito alta (≈DRAM)	🟢 Baixo	✅ Sim	🟡 Alta (em evolução)	🟡 Médio-alto	IA, automotivo, medicina, edge computin

🔍 Notas explicativas:

• Volatilidade: memórias voláteis perdem os dados ao desligar o equipamento. As não voláteis retêm as informações mesmo sem energia.
• Velocidade: DRAM e DRAM+ são muito mais rápidas para leitura/escrita do que NAND e FeRAM comum.
• Consumo: FeRAM e DRAM+ consomem menos energia que DRAM tradicional, o que as torna ideais para aplicações sensíveis a consumo.
• Densidade: NAND Flash ainda é a campeã em capacidade por chip, mas DRAM+ está evoluindo rápido com o uso de HfO₂.
• Custo: NAND é barata, DRAM é razoável, mas FeRAM tradicional é cara e limitada. DRAM+ promete equilibrar performance e viabilidade.

Memória para IA, automóveis, medicina e mais

A FMC acredita que sua nova memória pode atender a uma variedade de setores, como inteligência artificial, indústria automotiva, dispositivos médicos, aplicações industriais e eletrônicos de consumo.

O foco está em equipamentos que exigem alta velocidade e consumo de energia otimizado, além da capacidade de manter dados mesmo em situações de queda de energia.

Aplicações práticas da nova memória DRAM+ (FeRAM com HfO₂)

• Aeronáutica, espaço e defesa: aplicações em ambientes extremos, como satélites ou aeronaves, onde falhas elétricas são comuns e a memória precisa ser confiável e resistente.
• Carros autônomos: armazena dados de sensores e decisões críticas em tempo real, sem risco de perda em caso de queda de energia, mantendo a segurança do sistema mesmo em falhas.
• Dispositivos de IA embarcada (edge AI): permite que câmeras inteligentes, drones e dispositivos médicos tomem decisões rápidas localmente, sem depender da nuvem, com baixo consumo e dados preservados.
• Equipamentos médicos portáteis: ideal para armazenar registros vitais de pacientes ou históricos clínicos em dispositivos móveis, mantendo os dados mesmo após desligamentos inesperados.
• Controle industrial e automação: registra configurações e logs de processos em tempo real, mesmo em ambientes sujeitos a interrupções de energia frequentes.
• Substituto para RAM em computadores críticos: indicado para servidores e estações de trabalho que exigem velocidade de DRAM, mas não podem correr o risco de perder dados em reinicializações.
• Eletrônicos de consumo com boot instantâneo: possibilita smartphones ou notebooks que ligam instantaneamente, sem necessidade de recarregar o sistema operacional, pois os dados permanecem na memória.

Histórico e evolução da FeRAM

A FeRAM não é novidade, mas sempre esbarrou em limitações técnicas. As versões anteriores, baseadas em PZT, tinham dificuldades para se integrar aos processos padrão da indústria e ofereciam capacidades muito limitadas — geralmente entre 4MB e 8MB. Além disso, suas estruturas como a 1T1C (um transistor e um capacitor) ocupavam muito mais espaço que as células de memória convencionais.

A virada veio com o HfO₂, que permite fabricar chips muito mais densos, com capacidade na faixa de Gigabits até GigaBytes, aproximando-se do desempenho e da capacidade da DRAM, mas com benefícios adicionais como não volatilidade e menor consumo energético.

Linha do tempo da FeRAM (Memória Ferroelétrica)

Ano / Período	Marco
1952	Primeiro conceito de memória ferroelétrica é proposto, mas ainda sem aplicação prática.
1980s	Início dos primeiros protótipos de FeRAM usando materiais como PZT (zirconato-titanato de chumbo).
1995	Lançamento dos primeiros chips comerciais de FeRAM com capacidade limitada (KBs a poucos MBs).
2000–2010	FeRAM começa a ser usada em aplicações específicas: cartões inteligentes, sensores industriais, RFID.
Limite técnico	Apesar do sucesso em nichos, o uso de PZT limita a escalabilidade da FeRAM — difícil integração com CMOS.
2011	Pesquisadores descobrem efeito ferroelétrico em óxido de háfnio (HfO₂), compatível com CMOS.
2015–2018	Laboratórios e startups iniciam testes com FeRAM baseada em HfO₂, superando barreiras de densidade.
2020	Ferroelectric Memory Company (FMC) é fundada para comercializar essa nova geração de memória.
2024–2025	FMC anuncia parceria com Neumonda para desenvolver a DRAM+ — memória rápida, não volátil e de alta capacidade.
Futuro próximo	Espera-se que DRAM+ seja aplicada em IA, automotivo, medicina, edge computing e muito mais.

Neumonda: a aliada nos testes e no retorno da indústria europeia

Para testar e validar a nova tecnologia com eficiência e baixo custo, a FMC contará com a expertise da Neumonda, que oferecerá acesso às suas plataformas avançadas de testes: Rhinoe, Octopus e Raptor.

Esses sistemas permitem uma análise detalhada e energeticamente eficiente, superando o desempenho dos equipamentos de teste tradicionais.

Um dos meus objetivos ao fundar a Neumonda foi trazer a indústria de semicondutores de memória de volta para a Europa. Esta colaboração nos leva um passo mais perto disso

Peter Poechmueller, CEO da Neumonda

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Mais do que um chip: uma missão continental

Com a união de forças entre FMC e Neumonda, além de um novo produto promissor, a Europa ganha uma nova chance de reconstruir sua presença no setor de semicondutores, particularmente no segmento de memória — hoje dominado por fabricantes asiáticos. Afinal, a DRAM+ pode impulsionar a inovação em áreas críticas e também reforçar a autonomia tecnológica europeia.

Fonte: Ferroelectric Memory Company (FMC)